LOCT-4S晶間腐蝕儀  

 

 

 

 

一、產(chǎn)品特點：

u 不銹鋼操作臺，耐腐蝕，方便維護清理。

u 加熱盤表面抗腐蝕處理，增加加熱器壽命，操作安全。

u 觸摸屏操作，直觀簡單方便操作。

u 用戶可以自定義方法數(shù)據(jù)庫，可儲存100條。可將常用的參數(shù)儲存。

u 溫度直接控制溶液溫度，更精確。

u 4工位單獨控制工作，增加制樣效率。

u 溫度超溫保護，并且對溫度傳感器檢測。

u 有冷凝水傳感器檢測，無水停機報警。

u 有漏電和短路保護。

u 可選擇漏液傳感器檢測，有漏液停機報警。

u 可電腦遠程控制操作。

u 可連接循環(huán)冷凝水，不依賴外來水源，使冷凝水得到多次利用。

u 可配通風柜操作使用，當有蒸汽泄漏時，漏液傳感器檢測到后停機并且自動打開通風柜，避免給操作員身體帶來傷害。

二、主要技術參數(shù)

工位數(shù)	4工位
加熱盤	單個500W
燒瓶	1000mL 口徑Φ50mm
冷凝器	蛇球型  400mm（配套冷凝夾、十字夾）
操作方式	觸摸屏操作，支持中英文切換，亮度調節(jié)，可連接電腦操作（選配）
自定義數(shù)據(jù)庫	可儲存100種方法，支持中英文輸入。
漏液檢測	漏液傳感器（選配）
冷凝方式	自來水或者循環(huán)冷水機冷卻（選配）
報警或者提示	蜂鳴器和彈出窗
控制溫度	0-400℃，顯示精度0.1℃
工作電壓	AC220V 50/60HZ
工作時間	0-999小時60分鐘，倒計時顯示，可暫停時間。
總功率	2100W
環(huán)境溫度	5-30℃
環(huán)境濕度	≤85%R.H,不凝露
尺寸	850x350x450mm
重量	42Kg

 

 

基本概念說明：

晶間腐蝕主要由于晶粒表面和內(nèi)部間化學成分的差異以及晶界雜質或內(nèi)應力的存在。晶間腐蝕破壞晶粒間的結合，大大降低金屬的機械強度。而且腐蝕發(fā)生后金屬和合金的表面仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象，但晶粒間結合力顯著減弱，力學性能惡化, 不能經(jīng)受敲擊，所以是一種很危險的腐蝕。通常出現(xiàn)于黃銅、硬鋁合金和一些不銹鋼、鎳基合金中。不銹鋼焊縫的晶間腐蝕是化學工業(yè)的一個重大問題。

不銹鋼在腐蝕介質作用下，在晶粒之間產(chǎn)生的一種腐蝕現(xiàn)象稱為晶間腐蝕。

產(chǎn)生晶間腐蝕的不銹鋼，當受到應力作用時，即會沿晶界斷裂、強度幾乎完全消失，這是不銹鋼的一種最危險的破壞形式。晶間腐蝕可以分別產(chǎn)生在焊接接頭的熱影響區(qū)(HAZ)、焊縫或熔合線上，在熔合線上產(chǎn)生的晶間腐蝕又稱刀線腐蝕(KLA)。晶間腐蝕不銹鋼具有耐腐蝕能力的必要條件是鉻的質量分數(shù)必須大于10~12%。當溫度升高時，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴散速度大于鉻的擴散速度。因為室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小，約為0.02%~0.03%，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值，故多余的碳就不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如(CrFe)23C6等。數(shù)據(jù)表明，鉻沿晶界擴散的活化能力162~252KJ/mol，而鉻由晶粒內(nèi)擴散活化能約540KJ/mol，即:鉻由晶粒內(nèi)擴散速度比鉻沿晶界擴散速度小，內(nèi)部的鉻來不及向晶界擴散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要不是來自奧氏體晶粒內(nèi)部，而是來自晶界附近，結果就使晶界附近的含鉻量大為減少，當晶界的鉻的質量分數(shù)低到小于12%時，就形成所謂的"貧鉻區(qū)"，在腐蝕介質作用下，貧鉻區(qū)就會失去耐腐蝕能力，而產(chǎn)生晶間腐蝕。

 

 

 

在特定介質條件下檢驗金屬材料晶間腐蝕敏感性的加速金屬腐蝕試驗方法，目的是了解材料的化學成分、熱處理和加工工藝是否合理。其原理是采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。不銹鋼、鋁合金等的晶間腐蝕試驗方法在許多國家均已標準化。各標準對試驗細節(jié)均有詳細規(guī)定。

試驗方法	試驗標準	試驗周期	備注
不銹鋼晶間腐蝕A法	GB/T 4334-2008 ASTM A262-2010	4天	草酸法
不銹鋼晶間腐蝕B法		7天	硫酸-硫酸鐵 120h
不銹鋼晶間腐蝕C法		13-15天	硝酸法 5*48h
不銹鋼晶間腐蝕D法		4天	硝酸-氫氟酸 2*2h
不銹鋼晶間腐蝕E法		4天	硫酸-硫酸銅 16h
鎳基合金晶間腐蝕A法	GB/T 15260-1994	7天	硫酸-硫酸鐵 120h
鎳基合金晶間腐蝕B法		3(5)天	銅-硫酸銅-硫酸 24h或72h
鎳基合金晶間腐蝕C法		10-12天	鹽酸法 168h
鎳基合金晶間腐蝕D法		13-15天	硝酸法 5*48h